KEXIN
商品列表
KMBT2222A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@150mA,15mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V 特征频率(fT):300MHz 工作温度:-65℃~+150℃@(Tj)
2SB624-BV4
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):700mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@700mA,70mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):160MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):700mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@700mA,70mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@100mA,1V 特征频率(fT):160MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
2SB1132-R
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):82@100mA,3V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):32V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):500mW 集电极截止电流(Icbo):500nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):82@100mA,3V 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
KX5P02
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250μA
KDT3055L
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):4A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3W 类型:N沟道