KEXIN
商品列表
KI2310DS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):6.5A 功率(Pd):1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA
AMS1117-3.3
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:18V 输出电压:3.3V 输出电流:1A vin=18V,vout=3.3V
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:18V 输出电压:3.3V 输出电流:1A vin=18V,vout=3.3V
KMBTA42
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V
2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA N沟道,60V 0.3A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):300mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA N沟道,60V 0.3A
US1M
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):75ns
1N5817WS
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:20V 电流:1A 正向压降(Vf):750mV@3.1A 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:20V 电流:1A 正向压降(Vf):750mV@3.1A 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A
2SD1664-R
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:32V 电流:1A 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):32V 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:32V 电流:1A 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):32V 功率(Pd):500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@100mA,3V
KST9015
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管
描述: 集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V PNP IC=-0.1A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管
描述: 集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:45V PNP IC=-0.1A