KEXIN

MMBT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@150mA,10V PNP IC=0.6A

KMBT3906
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)

IRLML6401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道,-12V -4.3A

BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5Ω@10V,220mA

NJM4558
供应商: Anychip Mall
分类: 运算放大器

KST8550D
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@100mA,1V 特征频率(fT)：100MHz 工作温度：+150℃@(Tj) PNP -1.5A

SS24FL
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：2A 正向压降(Vf)：550mV@2A

AO3416
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道,20V 6.5A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 原始制造商: Guangdong Kexin Industrial Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 1.1V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 6.5A 极性: N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N-Channel 封装/外壳: SOT23-3 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 87pF 输入电容(Ciss)(Max): 1.65nF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 1.4W 导通电阻Rds On(Max): 22mΩ 工作温度(Tj): +150℃(TJ) 零件状态: Active

KO3416
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

KI8205T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)