APEC

AP10TN135N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.38W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：135mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

AP2320GN
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP9997GK
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：3.2A 功率(Pd)：2.8W
封装/外壳: SOT223 安装类型: SMT 品牌: APEC 配置: 单路 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流Id@25℃: 3.2A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 高度: 1.80mm 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm

AP9477GK
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP83T03GM
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP50T10GH
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：37A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 100V 37A

AP9987GH
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：34.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道

AP6N090N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.5A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 1.25W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 2.5A 极性: N-沟道 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23S 输入电容Ciss: 720pF 反向传输电容Crss: 32pF 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.20mm 引脚数: 3Pin

AP9561AGH
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP2306GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟 20V 5.3A
安装类型: SMT 品牌: APEC 击穿电压: 20V 功率耗散: 1.38W 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 5.3A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 111pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 输入电容: 603pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 零件状态: Active