AP2306GN

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=5.3A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
品牌:APEC
击穿电压:20V
功率耗散:1.38W
阈值电压:1.25V@250μA
原始制造商:Advanced Power Electronics Corp.
额定功率:1.38W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.5A
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:5.3A
存储温度:-55℃~+150℃
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±12V
反向传输电容Crss:111pF
工作温度:-55℃~+150℃(TJ)
原产国家:China Taiwan
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):50mΩ
输入电容:603pF
漏源电压(Vdss):20V
价格梯度 价格
5+¥0.9644
50+¥0.7754
150+¥0.6944
500+¥0.5933
包装:5 库存:1675