APEC
商品列表
AP2P053N
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 53mΩ@10V,4.5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 封装/外壳: SOT23S 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 输入电容: 1.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.25W
安装类型: SMT 品牌: APEC 阈值电压: 1.2V 额定功率: 1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 53mΩ@10V,4.5A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 封装/外壳: SOT23S 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 16nC 配置: 单路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 100mΩ 输入电容: 1.6nF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 16nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道
AP2328GN-HF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.38W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 520pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9.6nC 零件状态: 在售 高度: 1.08mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A
安装类型: SMT 击穿电压: 30V 功率耗散: 1.38W 阈值电压: 1.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 4A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 520pF 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 9.6nC 零件状态: 在售 高度: 1.08mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
AP9992GP-A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：166W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.99mΩ@10V,40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：166W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.99mΩ@10V,40A