AP2328GN-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET SOT23 VDS=30V VGS=±20V ID=4A

物料参数

安装类型:SMT
击穿电压:30V
功率耗散:1.38W
阈值电压:1.5V@250µA
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:4A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
原产国家:China
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):90mΩ
输入电容:520pF
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):9.6nC
零件状态:在售
高度:1.08mm
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin
无库存