PJ
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MMBTSC945H
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Transistor Excellent hFE Linearity Low noise SOT-23 H档
封装/外壳: SOT-23 安装类型: 表面贴装(SMT) 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 功率(Max): 200mW 跃迁频率: 150MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): 150°C Vce饱和压降(Max): 300mV 集电极电流Ic(Max): 150mA 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Transistor Excellent hFE Linearity Low noise SOT-23 H档
封装/外壳: SOT-23 安装类型: 表面贴装(SMT) 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 功率(Max): 200mW 跃迁频率: 150MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): 150°C Vce饱和压降(Max): 300mV 集电极电流Ic(Max): 150mA 晶体管类型: NPN
PJM2309PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=2A PD=1.4W SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: PJ 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 28pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 22nC 晶体管类型: PNP 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel VDS=60V ID=2A PD=1.4W SOT23
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: PJ 阈值电压: 3V@250µA 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 额定功率: 1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,2A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 28pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 22nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 22nC 晶体管类型: PNP 类型: 1个P沟道
PJM3415PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel 20V 4A 50mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 114.8pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 10.2nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC 晶体管类型: MOSFET 类型: 1个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel 20V 4A 50mΩ@4.5V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1V@250µA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 50mΩ@4.5V,4A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 114.8pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 10.2nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 50mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 17.2nC 晶体管类型: MOSFET 类型: 1个P沟道
PJ78L08SQ
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：30V 输出电压：6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 30V 静态电流（最大值）: 5.5mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 1000pcs 输出电压（最小值/固定）: 8V 输出电压: 6V 输入电压（最大值）: 30V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：30V 输出电压：6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 30V 静态电流（最大值）: 5.5mA 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 输出类型: Fixed 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 输出电流（Max）: 100mA 工作温度: -40~+125℃ 原产国家: China 输出电流: 100mA 最小包装: 1000pcs 输出电压（最小值/固定）: 8V 输出电压: 6V 输入电压（最大值）: 30V 板上高度: 1.50mm 引脚数: 3Pins
PJ8205DNSG
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A SOT23-6
安装类型: SMT 品牌: PJ 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT23-6 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 550pF 栅极电荷(Qg)(Max): 9.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 1.25W 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pins
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A SOT23-6
安装类型: SMT 品牌: PJ 阈值电压Vgs(th): 0.7V@250uA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5A 极性: N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 20V FET类型: N沟道 封装/外壳: SOT23-6 栅极源极击穿电压: ±12V 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 550pF 栅极电荷(Qg)(Max): 9.5nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 1.25W 导通电阻Rds On(Max): 20mΩ 工作温度(Tj): +150℃ 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pins
PJ73AL36SC
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：20V 输出电压：3.6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 20V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-3 输出类型: Fixed 输出电流（Max）: 300mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 300mA 最小包装: 3000pcs 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 输出电压: 3.6V 输入电压（最大值）: 22V 板上高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 输出类型：固定 输出极性：正 输出通道数：1 最大输入电压：20V 输出电压：3.6V
安装类型: SMT 输出配置: Positive 品牌: PJ 原始制造商: Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd. 输出电压（最大值）: - 输入电压: 20V 静态电流（最大值）: 3µA 长x宽/尺寸: 2.92 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-3 输出类型: Fixed 输出电流（Max）: 300mA 工作温度: -40~+85℃ 原产国家: China 输出电流: 300mA 最小包装: 3000pcs 输出电压（最小值/固定）: 3.6V 输出电压: 3.6V 输入电压（最大值）: 22V 板上高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins
BCX56SQ-16
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=500mW SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 1.3W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1A 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV@500mA,50mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=1A Vceo=80V hfe=100~250 P=500mW SOT89-3
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 1.3W Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.50mm 封装/外壳: SOT89-3 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 1A 集电极-发射极电压 VCEO: 500mV@500mA,50mA 特征频率(fT): 100MHz 高度: 1.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 100 引脚数: 3Pin
PJM2306NSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=3.16A SOT23
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 750mW 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 包装: Tape/reel 印字代码: S6 连续漏极电流: 3.16A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 9.0nC 高度: 1.03mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=20V ID=3.16A SOT23
安装类型: SMT 品牌: PJ 功率耗散: 750mW 原始制造商: DONGGUAN PINGJINGSEMI TECHNOLOGY CO.,LTD 包装: Tape/reel 印字代码: S6 连续漏极电流: 3.16A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 9.0nC 高度: 1.03mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
PJM3407PSA
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel 30V 4.1A 87mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 87mΩ 输入电容: 700pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): - 零件状态: Active 高度: 1.025mm 晶体管类型: MOSFET
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel 30V 4.1A 87mΩ@4.5V SOT23
安装类型: SMT 功率耗散: 1.4W 击穿电压: 30V 阈值电压: 3V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: +150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 87mΩ 输入电容: 700pF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): - 零件状态: Active 高度: 1.025mm 晶体管类型: MOSFET
PJ75AL50SA
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器及LDO
描述: 正电压 36V 5V 150mA 4uA
产品分类: 线性稳压器及LDO电源管理 品牌: PJ(Pingjingsemi) 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输入电压（最大值）: 36V 输出电压（最大值）: - 输出电压（最小值/固定）: 5V 输出电流: 150mA 静态电流（最大值）: 4µA 安装类型: SMT 工作温度: -40~+85℃ 封装/外壳: SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器及LDO
描述: 正电压 36V 5V 150mA 4uA
产品分类: 线性稳压器及LDO电源管理 品牌: PJ(Pingjingsemi) 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输入电压（最大值）: 36V 输出电压（最大值）: - 输出电压（最小值/固定）: 5V 输出电流: 150mA 静态电流（最大值）: 4µA 安装类型: SMT 工作温度: -40~+85℃ 封装/外壳: SOT23