PJ8205DNSG

品牌
PJ
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5A SOT23-6

物料参数

安装类型:SMT
品牌:PJ
阈值电压Vgs(th):0.7V@250uA
包装:Tape/reel
连续漏极电流Id@25℃:5A
极性:N-Channel
漏源击穿电压BVDSS:20V
FET类型:N沟道
封装/外壳:SOT23-6
栅极源极击穿电压:±12V
配置:Single
输入电容(Ciss)(Max):550pF
栅极电荷(Qg)(Max):9.5nC
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
功率(Max):1.25W
导通电阻Rds On(Max):20mΩ
工作温度(Tj):+150℃
高度:1.10mm
引脚数:6Pins