ON
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H11L1SM
供应商: Anychip Mall
分类: 光电耦合器
描述: OPTOISO 4.17KV OPN COLL 6SMD
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 共模瞬态抗扰度: - 安装类型: SMT 正向电流: 30mA 输入-输入侧1/输入侧2: 1/0 传播延迟tpLH/tpHL: 4µs，4µs 正向电压（Vf）: 1.2V 长x宽/尺寸: 8.51 x 6.35mm 封装/外壳: 6-SMD，鸥翼型 工作温度: -40℃~+85℃ 上升/下降时间: 100ns，100ns 系列: - 输出端驱动电流（Ic）: 50mA 脚间距: 2.54mm 输入端类型: DC 通道数: 1Channel 隔离电压(rms): 4170Vrms 零件状态: Active 传输速率: 1MHz 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 光电耦合器
描述: OPTOISO 4.17KV OPN COLL 6SMD
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 共模瞬态抗扰度: - 安装类型: SMT 正向电流: 30mA 输入-输入侧1/输入侧2: 1/0 传播延迟tpLH/tpHL: 4µs，4µs 正向电压（Vf）: 1.2V 长x宽/尺寸: 8.51 x 6.35mm 封装/外壳: 6-SMD，鸥翼型 工作温度: -40℃~+85℃ 上升/下降时间: 100ns，100ns 系列: - 输出端驱动电流（Ic）: 50mA 脚间距: 2.54mm 输入端类型: DC 通道数: 1Channel 隔离电压(rms): 4170Vrms 零件状态: Active 传输速率: 1MHz 引脚数: 6Pin
MUR1515G
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 开关型电源整流器
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: 插件 正向电流: 15A 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tube packing 正向压降VF: 1.05V 反向漏电流IR: 10µA@150V 封装/外壳: TO220AC 系列: SWITCHMODE™ 原产国家: America 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 标准 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 15A 最小包装: 50pcs 工作温度-结: -65°C~175°C 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 快/超快恢复二极管
描述: 开关型电源整流器
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: 插件 正向电流: 15A 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tube packing 正向压降VF: 1.05V 反向漏电流IR: 10µA@150V 封装/外壳: TO220AC 系列: SWITCHMODE™ 原产国家: America 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: 标准 反向峰值电压（最大值）: 150V 反向耐压VR: 150V 平均整流电流: 15A 最小包装: 50pcs 工作温度-结: -65°C~175°C 反向恢复时间(trr): 35ns 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active
MOC3021M
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 6针DIP随机相位双向晶闸管驱动器输出光耦
正向电流: 60mA 安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: ON 通态电流 It: OriginalA 功率耗散: 300mW 接通时间: - LED触发器电流（Ift）（最大值）: 15mA 正向电压（Vf）（典型值）: 1.15V 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 封装/外壳: OC_8.89X6.6MM_TM 制造商标准提前期: 7 周 工作温度: -40℃~+85℃ 静态dV/dt: - 保持电流(Ih): 100µA（标准） 隔离电压: 4.17KV 最小包装: 50pcs 可控硅类型: TRIAC 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 6针DIP随机相位双向晶闸管驱动器输出光耦
正向电流: 60mA 安装类型: 插件 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 品牌: ON 通态电流 It: OriginalA 功率耗散: 300mW 接通时间: - LED触发器电流（Ift）（最大值）: 15mA 正向电压（Vf）（典型值）: 1.15V 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 封装/外壳: OC_8.89X6.6MM_TM 制造商标准提前期: 7 周 工作温度: -40℃~+85℃ 静态dV/dt: - 保持电流(Ih): 100µA（标准） 隔离电压: 4.17KV 最小包装: 50pcs 可控硅类型: TRIAC 引脚数: 6Pin
FDC6420C
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 印字代码: 0.42 连续漏极电流: 3A,2.2A 长x宽/尺寸: 2.95 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 原产国家: America FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 4.6nC@4.5V 高度: 1.10mm 晶体管类型: -
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: ON Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: N-沟道,P-沟道 印字代码: 0.42 连续漏极电流: 3A,2.2A 长x宽/尺寸: 2.95 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23-6 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 配置: 双路 原产国家: America FET功能: 逻辑电平门 漏源电压(Vdss): 20V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 4.6nC@4.5V 高度: 1.10mm 晶体管类型: -
ESD7104MUTAG
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VRWM=5V VBR(Min)=5.5V VC=10V IPP=1A UFDFN10_2.5X1MM
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 电源线路保护: 无 功率-峰值脉冲: - 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.50 x 1.00mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: UFDFN10_2.5X1MM 制造商标准提前期: 12 周 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 1A 最大工作电压: 5V 脚间距: 0.65mm 击穿电压 V(BR)-min: 5.5V 结电容: 0.3pF@1MHz 高度: 0.55mm 应用: 汽车级 引脚数: 10Pin 类型: 齐纳
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VRWM=5V VBR(Min)=5.5V VC=10V IPP=1A UFDFN10_2.5X1MM
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 电源线路保护: 无 功率-峰值脉冲: - 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.50 x 1.00mm 反向断态电压: 5V 封装/外壳: UFDFN10_2.5X1MM 制造商标准提前期: 12 周 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 1A 最大工作电压: 5V 脚间距: 0.65mm 击穿电压 V(BR)-min: 5.5V 结电容: 0.3pF@1MHz 高度: 0.55mm 应用: 汽车级 引脚数: 10Pin 类型: 齐纳
EMI8141MUTAG
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 2通道 VRWM=3.3 VBR(Min)=4 V VC=11.8 V IPP=16 A Ppp=Original XDFN6
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: - 电源电压: 3.3V 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 功率-峰值脉冲: Original 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 反向断态电压: 3.3V 封装/外壳: XDFN6 峰值脉冲电流（Ipp）: 16A 最大工作电压: 3.3V 原产国家: America 击穿电压 V(BR)-min: 4V 击穿电压Max: 9V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 结电容: - 高度: 0.50mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 2通道 VRWM=3.3 VBR(Min)=4 V VC=11.8 V IPP=16 A Ppp=Original XDFN6
安装类型: SMT 反向漏电流 IR: - 电源电压: 3.3V 原始制造商: ON Semiconductor Inc. 功率-峰值脉冲: Original 包装: Tape/Reel 极性: 单向 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 反向断态电压: 3.3V 封装/外壳: XDFN6 峰值脉冲电流（Ipp）: 16A 最大工作电压: 3.3V 原产国家: America 击穿电压 V(BR)-min: 4V 击穿电压Max: 9V 最小包装: 3000pcs 通道数: 2 结电容: - 高度: 0.50mm 零件状态: Active
MMSZ5263BT1G
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Zener Diode 56V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 56V 功率: 500mW 精度: ±5% 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm Zzt阻抗: 150Ω 反向漏电流IR: 100nA@43V 封装/外壳: SOD-123 制造商标准提前期: 25 周 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 动态电阻（最大值）: 150Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.12mm 零件状态: 在售
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: Zener Diode 56V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 56V 功率: 500mW 精度: ±5% 包装: 剪切带（CT） ,带卷（TR） 正向压降VF: 900mV 长x宽/尺寸: 2.69 x 1.60mm Zzt阻抗: 150Ω 反向漏电流IR: 100nA@43V 封装/外壳: SOD-123 制造商标准提前期: 25 周 工作温度: -55℃~+150℃ 系列: - 动态电阻（最大值）: 150Ohm 功率耗散（最大值）: 500mW 高度: 1.12mm 零件状态: 在售
2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT23-3
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 300mA 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 6 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2欧姆@500mA，10V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 700pC@4.5V 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=300mA RDS(ON)=2Ω@10V SOT23-3
安装类型: SMT 湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 技术路线: MOSFET (Metal Oxide) 击穿电压: 60V 阈值电压: 2.5V@250µA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 300mA 封装/外壳: SOT-23 制造商标准提前期: 6 周 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2欧姆@500mA，10V FET功能: - 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 700pC@4.5V 晶体管类型: N沟道