FQU13N10LTU
品牌
ON
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=180mΩ@10V TO251
物料参数
| 安装类型: | DIP |
| 品牌: | ON |
| 阈值电压Vgs(th): | 2V@250µA |
| 包装: | Tube packing |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 10A |
| FET类型: | N沟道 |
| 长x宽/尺寸: | 6.80 x 2.50mm |
| 封装/外壳: | TO251 |
| 漏极电流Idss: | 10A |
| 配置: | Single |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 180毫欧@5A，10V |
| 供应商器件封装: | I-Pak |
| FET功能: | - |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 12nC@5V |
| 功率耗散（最大值）: | 2.5W（Ta），40W（Tc） |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 功率(Max): | 2.5W |
| 导通电阻Rds On(Max): | 180mΩ |
| 工作温度(Tj): | -55~+150℃ |
| 零件状态: | Active |