FEIHONG
商品列表
KA7912A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:负 输出通道数:1 最大输入电压:-30V 输出电压:-12V 压差:2V@(1A) 输出电流:1A 电源纹波抑制比(PRSS):74dB@(120Hz)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:负 输出通道数:1 最大输入电压:-30V 输出电压:-12V 压差:2V@(1A) 输出电流:1A 电源纹波抑制比(PRSS):74dB@(120Hz)
KA7805B
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:25V 输出电压:5V 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):73dB@(120Hz)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:25V 输出电压:5V 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):73dB@(120Hz)
FHP10N65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHF13N50C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):13A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,6.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHP5N65B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHD7N65B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHP20N40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):300mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHP12N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):231W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):231W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHU100N03A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250μA