FEIHONG

FHP730A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：400V 连续漏极电流(Id)：5.2A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

FHF20N65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：62.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

BU406B
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：150V 集电极电流(Ic)：6A 功率(Pd)：65W

D667A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo)：165V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：625mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,5V 工作温度：+150℃@(Tj)

FHD18P10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：57W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：92mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：37nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：2.575nF@30V 反向传输电容(Crss@Vds)：75pF@30V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

FHP13007A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：8A 功率(Pd)：80W 集电极截止电流(Icbo)：100μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1V@5A,1A 特征频率(fT)：4MHz 工作温度：+150℃@(Tj)

FHP7812A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)

FHP3710C
供应商: Anychip Mall
分类: FHP3710C
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：57A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：23mΩ @ 28A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道

FHP20150A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：150V 平均整流电流(Io)：10A 正向压降(Vf)：830mV@10A 反向电流(Ir)：1.1μA@150V

FHA20N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：272W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA