FEIHONG
商品列表
FHD540A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):30A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):37mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
FHD15N10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA
FHD120N03C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.55nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):120pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):48nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.55nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):120pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
FHP4410A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):140A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):140A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHF2N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):27W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHA24N50A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):200mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA