FEIHONG
商品列表
FHP830A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
FHP100N03B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):100W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.7V@250μA
2N5551A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:160V 电流:600mA 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):625mW
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:160V 电流:600mA 集电极电流(Ic):600mA 集射极击穿电压(Vceo):160V 功率(Pd):625mW
FHP15N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
KA7812B
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 输出通道数:1 最大输入电压:30V 输出电压:12V 压差:2V@(1A) 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):71dB@(120Hz)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 输出通道数:1 最大输入电压:30V 输出电压:12V 压差:2V@(1A) 输出电流:1.5A 电源纹波抑制比(PSRR):71dB@(120Hz)
FHP640A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):139W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):139W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA