FEIHONG

FHP10N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：850mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

FHP50N06C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：22mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

FHF20N60A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：62.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：400mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

B834A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.5W 集电极截止电流(Icbo)：1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：1V@3A,300mA 特征频率(fT)：3MHz 工作温度：+150℃@(Tj)

TIP41CA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:100V 电流:6A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):6A 集射极击穿电压(Vceo):100V 功率(Pd):65W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V

FHF20N50B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：230mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.62nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：18pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

FHD50N06D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：39W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.2V@250μA

FHP60N06B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

FHP75N100A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

C945B
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo)：52V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：400mW