FEIHONG
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FHA150N06C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):150A 功率(Pd):290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
KSP2222A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):27V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 集射极击穿电压(Vceo):27V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V
FHD4N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):49W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:650V 电流:4A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):49W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA
FHU2N65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
78M05A
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:25V 输出电压:5V 输出电流:500mA 电源纹波抑制比(PSRR):67dB@(120Hz)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)
描述: 输出类型:固定 输出极性:正 最大输入电压:25V 输出电压:5V 输出电流:500mA 电源纹波抑制比(PSRR):67dB@(120Hz)
TIP122D
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿管
描述: NPN 耐压:100V 电流:8A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,500mA 功率(Pd):65W 集电极电流(Ic):8A
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿管
描述: NPN 耐压:100V 电流:8A 类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):100V 直流电流增益(hFE@Vce,Ic):1000@3V,500mA 功率(Pd):65W 集电极电流(Ic):8A
FHF7N65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω@10V,3.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.3Ω@10V,3.5A
FHP3205B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.247nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):211pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):210W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):146nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):3.247nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):211pF@25V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)