ALLPOWER
商品列表
AP4580
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 0.7V 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A,1.8A 封装/外壳: SOT23-8L 漏极电流: 20A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.7nC 配置: Series 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 240pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 2.7nC 晶体管类型: 2个N沟道和2个P沟道 类型: 2个N沟道+2个P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个N沟道和2个P沟道(全桥)漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：N:2/1.5 P:1.8/1.3A 功率(Pd)：1.4W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1.4W 阈值电压: 0.7V 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 2A,1.8A 封装/外壳: SOT23-8L 漏极电流: 20A 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 2.7nC 配置: Series 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 240pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 2.7nC 晶体管类型: 2个N沟道和2个P沟道 类型: 2个N沟道+2个P沟道
AP050N03Q
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：45W
安装类型: SMT 功率耗散: 45W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 65A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.10mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 漏极电流: 65A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.784nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 38.4nC 零件状态: Active 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：45W
安装类型: SMT 功率耗散: 45W 阈值电压: 1.5V@250µA 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 65A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.30 x 3.10mm 封装/外壳: DFN8_3.3X3.3MM 漏极电流: 65A 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 输入电容: 1.784nF 漏源电压(Vdss): 30V 认证信息: RoHS 栅极电荷(Qg): 38.4nC 零件状态: Active 高度: 0.80mm 晶体管类型: N沟道
AP40P05
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型Mosfet SOT23 VDS=40V VGS=±20V ID=5A
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.6V 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,3A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道增强型Mosfet SOT23 VDS=40V VGS=±20V ID=5A
安装类型: SMT 功率耗散: 2W 阈值电压: 1.6V 额定功率: 2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@10V,3A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 5A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃(TJ) 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 14nC 高度: 1.00mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 类型: 1个P沟道 引脚数: 3Pin
AP50N06K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 阈值电压: 1.65V@250µA 额定功率: 60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 50A 反向传输电容Crss: 80pF@25V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 输入电容: 1.92nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 36nC 高度: 6.20mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：60W
安装类型: SMT 阈值电压: 1.65V@250µA 额定功率: 60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@10V,20A 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 50A 存储温度: -55℃~+175℃ 长x宽/尺寸: 6.80 x 6.30mm 封装/外壳: TO-252(DPAK) 漏极电流: 50A 反向传输电容Crss: 80pF@25V 工作温度: -55℃~+175℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 20mΩ 输入电容: 1.92nF 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 36nC 高度: 6.20mm 晶体管类型: N沟道
AP3722AT
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,3.76x2.24mm 1.6~3.6V 3.76 x 2.24mm 57dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 工作电压: 1.6V~3.6V 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 3.76 x 2.24mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_3.76X2.24MM 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 1.10mm 零件状态: Active 信噪比: 57dBA 灵敏度: -42dB
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,3.76x2.24mm 1.6~3.6V 3.76 x 2.24mm 57dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 工作电压: 1.6V~3.6V 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 3.76 x 2.24mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_3.76X2.24MM 方向: 全指向 原产国家: China 最小包装: 5000pcs 高度: 1.10mm 零件状态: Active 信噪比: 57dBA 灵敏度: -42dB
AP4953A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: -20V 阈值电压: -1V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 37pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 输入电容: 325pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：2W
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 击穿电压: -20V 阈值电压: -1V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3A 封装/外壳: SO8 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 37pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 输入电容: 325pF 最小包装: 4000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 3.2nC 零件状态: Active
AP2718AT
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75 x 1.85mm 57dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 工作电压: 1.6V~3.6V 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_2.75X1.85MM 原产国家: China 方向: 全指向 最小包装: 5000pcs 信噪比: 57dBA 高度: 0.90mm 零件状态: Active 灵敏度: -42dB 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 麦克风
描述: 麦克风 SMD,2.75x1.85mm 1.6~3.6V 2.75 x 1.85mm 57dBA
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 消耗电流: 95μA 频率: 1KHz 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 工作电压: 1.6V~3.6V 阻抗: 220Ω 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.85mm 元件生命周期: Active 封装/外壳: MIC_2.75X1.85MM 原产国家: China 方向: 全指向 最小包装: 5000pcs 信噪比: 57dBA 高度: 0.90mm 零件状态: Active 灵敏度: -42dB 引脚数: 4Pin
AP4910GD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-40A 功率(Pd)：45W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 45W 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 96pF 工作温度: +150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 输入电容: 980pF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22.9nC 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：30/-40A 功率(Pd)：45W
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 45W 阈值电压: 1.6V 原始制造商: Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 30A 长x宽/尺寸: 5.75 x 4.90mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: PDFN8_5X6MM 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 96pF 工作温度: +150℃ 配置: 双路 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 14mΩ 输入电容: 980pF 漏源电压(Vdss): 40V 栅极电荷(Qg): 22.9nC 零件状态: Active
AP3401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 阈值电压: 0.95V 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -4.2A 反向传输电容Crss: 77pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 输入电容: 957pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23-3 VDS=30V VGS=±12V ID=4.2A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 击穿电压: 30V 阈值电压: 0.95V 额定功率: 1.4W 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.2A 长x宽/尺寸: 3.02 x 1.70mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 漏极电流: -4.2A 反向传输电容Crss: 77pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 输入电容: 957pF 漏源电压(Vdss): 30V 晶体管类型: P沟道
AP2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.5A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1.7W 击穿电压: -20V 阈值电压: 900mV 额定功率: 350mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: -3.5A 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: P沟道功率MOSFET SOT23 VDS=-20V VGS=±12V ID=-3.5A
安装类型: SMT 品牌: ALLPOWER 功率耗散: 1.7W 击穿电压: -20V 阈值电压: 900mV 额定功率: 350mW 原始制造商: Shenzhen Quan Li Semiconductor Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 3.5A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: -3.5A 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 7.8nC 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 15nC 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道