AP050N03Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):65A 功率(Pd):45W

物料参数

安装类型:SMT
功率耗散:45W
阈值电压:1.5V@250µA
原始制造商:Shenzhen Quanli Semiconductor Co., Ltd.
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:65A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.30 x 3.10mm
封装/外壳:DFN8_3.3X3.3MM
漏极电流:65A
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
输入电容:1.784nF
漏源电压(Vdss):30V
认证信息:RoHS
栅极电荷(Qg):38.4nC
零件状态:Active
高度:0.80mm
晶体管类型:N沟道
价格梯度 价格
1+¥0.5700
100+¥0.5320
300+¥0.4940
500+¥0.4560
2000+¥0.4370
5000+¥0.4256
包装:1 库存:0