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UF3C065040K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 326W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 326W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065040
UJ3C065080T3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500pF @ 100V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51nC @ 15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500pF @ 100V
UJ4C075060K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 155W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 750 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1422 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ4C075060
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 750V 28A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 155W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 750 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1422 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ4C075060
UF3C065040K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 326W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 54A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 52 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 326W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065040
UF3C120080K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 254.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 254.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120080
UJ3D1210KSD
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
Current-ReverseLeakage@Vr: 110 µA @ 1200 V Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): Not Applicable ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected ReverseRecoveryTime(trr): 0 ns MountingType: Through Hole Capacitance@Vr,F: 500pF @ 1V, 1MHz Series: - SupplierDevicePackage: TO-247-3 BaseProductNumber: UJ3D1210 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 1.6 V @ 5 A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 1200 V OperatingTemperature-Junction: -55°C ~ 175°C Mfr: UnitedSiC Current-AverageRectified(Io): 5A Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 10A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
Current-ReverseLeakage@Vr: 110 µA @ 1200 V Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Category: Discrete Semiconductor ProductsDiodesRectifiersSingle Diodes ProductStatus: Active Package/Case: TO-247-3 MoistureSensitivityLevel(MSL): Not Applicable ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected ReverseRecoveryTime(trr): 0 ns MountingType: Through Hole Capacitance@Vr,F: 500pF @ 1V, 1MHz Series: - SupplierDevicePackage: TO-247-3 BaseProductNumber: UJ3D1210 Voltage-Forward(Vf)(Max)@If: 1.6 V @ 5 A Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Voltage-DCReverse(Vr)(Max): 1200 V OperatingTemperature-Junction: -55°C ~ 175°C Mfr: UnitedSiC Current-AverageRectified(Io): 5A Package: Tube HTSUS: 8541.10.0080
UJ3C065080K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 111 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ3C065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 111 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ3C065080
UJ4C075060K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 155W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 750 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1422 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ4C075060
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 750V 28A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 28A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 74 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 155W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 750 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 37.8 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1422 pF @ 100 V 基本产品编号: UJ4C075060
UF3C065080B7S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 136.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 760 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 27A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 105 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 136.4W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 23 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 760 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
UF3C120400K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 515毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120400
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7.6A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 515毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 100W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 27 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 740 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120400