UNITEDSIC
商品列表
UF3C120150B7S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: 超级结 功率耗散（最大值）: 136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK（7-Lead） 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.7 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 738 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: 超级结 功率耗散（最大值）: 136W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK（7-Lead） 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.7 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 738 pF @ 100 V
UF3C120040K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 429W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 429W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120040
UF3SC065030B7S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 62A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 35 毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 214W（Tc） 工作温度: 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D2PAK-7 封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 43 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V
UJ3N120035K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2145pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 63 A 电阻 - RDS(On): 45 mOhms 功率 - 最大值: 429 W 基本产品编号: UJ3N120035
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2145pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 63 A 电阻 - RDS(On): 45 mOhms 功率 - 最大值: 429 W 基本产品编号: UJ3N120035
UF3SC120009K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11毫欧 @ 100A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 789W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 234 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8512 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3SC120009
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 120A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 11毫欧 @ 100A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 789W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 234 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8512 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3SC120009
UF3C120150K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 166.7W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.7 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 738 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120150
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 18.4A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 180毫欧 @ 5A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5.5V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 166.7W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25.7 nC @ 12 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 738 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120150
UJ3D06512TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 12A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 12A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 392pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 12 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 80 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06512
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 12A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 12A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 392pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 12 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 80 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06512
UJ3D06516TS
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 16A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 16A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 500pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 16 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06516
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 650V 16A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: Gen-III 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 16A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 500pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 650 V 反向恢复时间 (trr): 0 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 16 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 650 V 基本产品编号: UJ3D06516
UF3C120040K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 429W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 65A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45毫欧 @ 40A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 429W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120040
UF3SC065007K4S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 214 nC @ 15 V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 789W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 基本产品编号: UF3SC065007
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 漏源电压（Vdss）: 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 9 毫欧 @ 50A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 214 nC @ 15 V Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 789W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-4 封装/外壳: TO-247-4 基本产品编号: UF3SC065007