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UF3C065080K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
UJ3N065080K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 630pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 650 V 漏源电压（Vdss）: 650 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 32 A 电阻 - RDS(On): 95 mOhms 功率 - 最大值: 190 W 基本产品编号: UJ3N065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 630pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 650 V 漏源电压（Vdss）: 650 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 32 A 电阻 - RDS(On): 95 mOhms 功率 - 最大值: 190 W 基本产品编号: UJ3N065080
UJ3N120070K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 985pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 33.5 A 电阻 - RDS(On): 90 mOhms 功率 - 最大值: 254 W 基本产品编号: UJ3N120070
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - JFET
描述: 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 985pF @ 100V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247-3 电压 - 击穿 (V(BR)GSS): 1200 V 漏源电压（Vdss）: 1200 V 漏极电流 (Id) - 最大值: 33.5 A 电阻 - RDS(On): 90 mOhms 功率 - 最大值: 254 W 基本产品编号: UJ3N120070
UF3C065080B3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: - Vgs（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 650 V 基本产品编号: UF3C065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
制造商: UnitedSiC 系列: - 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 25A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: - Vgs（最大值）: - FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-263（D2Pak） 封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 漏源电压（Vdss）: 650 V 基本产品编号: UF3C065080
UF3C065080T3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220-3 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 650 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C065080
UF3C120080K3S
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 254.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120080
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: SICFET N-CH 1200V 33A TO247-3
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: SiCFET（共源共栅 SiCJFET） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 100 毫欧 @ 20A，12V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 10mA Vgs（最大值）: ±25V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 254.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 51 nC @ 15 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1500 pF @ 100 V 基本产品编号: UF3C120080
UJ3D1220K2
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 20A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 810pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 20A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190µA @ 1200V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 1200V 20A SIC SCHOTTKY DIODE G3,
制造商: UnitedSiC 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管类型: 碳化硅肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 20A（DC） 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: 810pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 1200V 反向恢复时间 (trr): 0ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7V @ 20A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 190µA @ 1200V