UF3C065080T3S
品牌
UNITEDSIC
供应商
分类
分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
物料参数
| 制造商: | UnitedSiC |
| 系列: | - |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 有源 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 31A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 12V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 @ 20A，12V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 6V @ 10mA |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 190W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 51 nC @ 15 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1500 pF @ 100 V |
| 基本产品编号: | UF3C065080 |