SINOIC
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SEBT3906U
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW PNP -60V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):250mW PNP -60V
SE630K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,30V,11A,7mΩ@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):11A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:10mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道 N沟道,30V,11A,7mΩ@10V
MM1Z3V3
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 齐纳二极管 3.3V 500mW 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):3.3V 稳压值(范围):3.1V~3.5V 功率:500mW 精度:±5%
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 齐纳二极管 3.3V 500mW 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):3.3V 稳压值(范围):3.1V~3.5V 功率:500mW 精度:±5%
SE7401P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.2A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.2A 功率(Pd):900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):900mV@250μA