SINOIC

SEBT9013
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN

SESDFBP05C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Bidirectional 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6.1V

SE4607
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,2.8A；100mΩ@4.5V,2.8A

SE8830A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@2.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA

SEB160M-40
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：510mV@1A

SMBJ36CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：36V 击穿电压：40V 最大钳位电压：58.1V 600W

SE100130A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：285W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道，100V

SEBT8050
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：625mW 集电极截止电流(Icbo)：50nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@500mA,20mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@50mA,1V 特征频率(fT)：120MHz 工作温度：+150℃@(Tj)

SMBJ6.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：6.5V 击穿电压(最小值)：7.22V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：53.6A 最大钳位电压：11.2V 600W

SE30150
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA