SINOIC

SE3080K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

SMAJ45CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：45V 击穿电压：50V 最大钳位电压：72.7V

SEB160V-40
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：40V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：510mV@1A

SE18NS65A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：190mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道，650V

SE01P13K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：13A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：200mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

SE3018
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道,50V,0.3A,2.3Ω@4.5V

SESD3Z36C
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

SE9926
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27.5mΩ@4.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA

SEBLC12C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

SE1991G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)