SINOIC

SEI8261
供应商: Anychip Mall
分类: 电池管理

SE4060
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

SESD3Z3.3C
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

SMAJ5.0CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V 击穿电压(最小值)：6.4V 击穿电压(最大值)：7.25V 反向漏电流(Ir)：800μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：43.5A 最大钳位电压：9.2V

SESD9D3V3
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 单向ESD 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):3V 击穿电压(VBR):5V

SESDFBP05V
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Unidirectional 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6V

SESD5Z6V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：单向 反向截止电压(Vrwm)：6V 击穿电压(最小值)：6.8V

SEMF05AC
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

SESD5Z18V
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

SE2300
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：5.9A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40mΩ@4.5V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 20V 5.9A 50mΩ@2.5V,