SINOIC

5.0SMDJ85CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：85V 击穿电压(最小值)：94.4V 击穿电压(最大值)：104V 反向漏电流(Ir)：5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：36.5A 最大钳位电压：137V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs：5000W

SE10060B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: -

LT3010
供应商: Anychip Mall
分类: 半导体放电管(TSS)
描述: 断态峰值电压(Vdrm)：6V 漏电流(Idrm)：10uA 开关电压(Vs)：15V 维持电流(Ih)：30mA

SE3090K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：105W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.1mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：60nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.433nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：287pF@15V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

SE80100GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

SE6880A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

P1800SB
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)

SE8810(ESD)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA

SESMF3V3C
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品
描述: -

SESD3Z15C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Bidirectional 反向关断电压（典型值）：15V 击穿电压（最小值）：16.7V