SINOIC

SESDFBP05CL
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Bidirectional 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6.1V

SE6016B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 60V 16A

SE60210GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：210A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 60V 210A

SE40P20B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA P沟道 -40V -20A

SE3060K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：53W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA 停产

SE100180GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 100V 180A

SED3080M
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.5mΩ@10V,25A

SE7401U
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.2A 功率(Pd)：900mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：900mV@250μA

SE10030A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,10A N沟道，100V

SESD3Z08C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件