SINOIC

场效应管(MOSFET)

类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：170W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.8mΩ@10V,39A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 100V 70A