HUAYI

HY030N06P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY0810S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,8A N沟道

HYG035N06LS1C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：65V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.9mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：42nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.687nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：112pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HYG025N06LS2C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG035N08NS2P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：135A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,50A

HY4504B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：322A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,140A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HY3906P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：190A 功率(Pd)：220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,95A

HY1906D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：68V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,35A

HY3306P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,65A

HY4903P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：290A 功率(Pd)：214W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,145A