HUAYI

HY1303C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG053N10NS1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG015N04LS1C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG035N10NS2B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY3210P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：237W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,60A N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410

HYG032N08NS1W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：185A 功率(Pd)：230.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：117nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：7.5nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：169pF@25V 工作温度：+175℃@(Tj)

HYG025N06LS2B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：145A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：69.8nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：4.381nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：10pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HY050N08P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY1908P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,45A

HYG065N07NS1MF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)