HY3210P
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：237W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,60A N沟道MOSFET. VDS=100V, ID=120A,6.8mR,可替换IRF2807,IRF3710,IRF4410