HUAYI
商品列表
HYG030N03LQ1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：57W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：29.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.958nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：292pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：57W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：29.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.958nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：292pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
HY1001D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.4mΩ@10V,40A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：70V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：75W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.4mΩ@10V,40A
HYG053N10NS1C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：83.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：95A 功率(Pd)：83.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.6mΩ@10V,20A
HYG080N10LS1C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>71</SPAN>W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.9mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>71</SPAN>W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.9mΩ@10V,20A
HYG090ND06LS1C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：56A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,20A