HUAYI
商品列表
HY4504P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：288W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,125A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：288W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,125A
HY4903B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：290A 功率(Pd)：214W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,145A N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：290A 功率(Pd)：214W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,145A N沟道
HY3403P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,70A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,70A
HY1310D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:33A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 功率(Pd):54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:100V 电流:33A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 功率(Pd):54W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,16A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
HYG025N04NA1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：93W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@2.5mA 栅极电荷(Qg@Vgs)：122.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.625nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：569pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：93W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@2.5mA 栅极电荷(Qg@Vgs)：122.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.625nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：569pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)