HUAYI

HY1103S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@10V,6A

HY1710P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,35A

HY3210B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：237W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HY4008W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：397W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道

HYG190P13NA1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：125V 连续漏极电流(Id)：72A 功率(Pd)：230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：160nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.348nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：430pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HY1503C1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：17.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,10A

HY3306B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY5110NA2W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：295A 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,100A

HYG028N10NS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG180N10LS1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：93.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16.5mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11.6nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.606nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：22.8pF@25V 工作温度：+175℃@(Tj)