HUAYI

HY1908D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：64W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,45A N沟道MOSFET. VDS=80V, ID=90A,TO-252 导通电阻 7mR，可替换IRFR1205,IRFR3607,IRFR2407,IRLR3636,AOD2610

HY15P03S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA P沟道 -30V -15A ，6.6mΩ导通电阻

HY3410NA2P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>288</SPAN>W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.7mΩ@10V,50A

HY3503C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：156W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HYG065N15NS1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：165A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.2mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：96nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.646nF@75V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@75V 工作温度：+175℃@(Tj)

HY8290P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY3403D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道2.4mΩ@10V TO-252 30V

HY3403B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：115W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,70A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HY030N06C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：65V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

HYG025N06LS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.1V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：27.7nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.915nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：10.2pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)