HYG190P13NA1B
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：125V 连续漏极电流(Id)：72A 功率(Pd)：230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：160nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：8.348nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：430pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)