WSD30L20DN

品牌
WINSOK
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
P沟道 漏源电压(Vdss):-30V 连续漏极电流(Id):-20A 功率(Pd):16.6W

物料参数

安装类型:SMT
品牌:Winsok
功率耗散:1.67W
击穿电压:32V
阈值电压:-1.7V@250uA
包装:Tape/reel
连续漏极电流:20A
存储温度:-55℃~+150℃
长x宽/尺寸:3.10 x 3.10mm
封装/外壳:DFN8_3X3MM
栅极源极击穿电压:±20V
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30.5mΩ
输入电容:900pF
最小包装:5000pcs
漏源电压(Vdss):30V
高度:1.00mm
晶体管类型:P沟道
引脚数:8Pin
价格梯度 价格
1+¥1.0020
10+¥0.9540
30+¥0.9444
包装:1 库存:298