PMV30UN2R
品牌
NEXPERIA(安世)
供应商
描述
表面贴装型-N-通道-20V-4.2A（Ta）-490mW（Ta）,-5W（Tc）-TO-236AB
物料参数
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: | 4.2A |
| 栅源极阈值电压: | 900mV @ 250uA |
| 漏源导通电阻: | 32mΩ @ 4.2A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C）: | 490mW |
| 类型: | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时）: | 4.2A |
| 栅源极阈值电压: | 900mV @ 250uA |
| 漏源导通电阻: | 32mΩ @ 4.2A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C）: | 490mW |
| 类型: | N沟道 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 32 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 11nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值）: | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 655pF @ 10V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 490mW（Ta）, 5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-236AB |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |