GOFORD
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GC11N65K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA 650V 11A 360mΩ@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):78W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):360mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA 650V 11A 360mΩ@10V