GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
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GP1M016A060H
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3039pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 470 毫欧 @ 8A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3039pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 290W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 470 毫欧 @ 8A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M016A025HG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 16A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 240 毫欧 @ 8A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 944pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 93.9W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 250V 16A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 240 毫欧 @ 8A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 944pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 93.9W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GP1M005A050FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 32W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.65 欧姆 @ 2.25A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 627pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 32W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP2D060A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 182A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停产 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 182A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.8V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3809pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 1200V 182A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: Digi-Key 停产 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）: 182A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.8V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3809pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
GHXS045A120S-D1E
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 1.2kV 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 45A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 45A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 300µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 1.2kV 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 45A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 45A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 300µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP1M006A065F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 39W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GP1M013A050FH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 480 毫欧 @ 6.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1918pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 480 毫欧 @ 6.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 36nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1918pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GSXD160A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 120V 160A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 120V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 160A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 120V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 120V 160A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 120V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 160A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 160A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 120V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GDP60Z120E
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 60A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3581pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 60A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 60A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 3581pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GSXF060A060S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 标准 600V 60A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 60A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 标准 600V 60A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 60A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.5V @ 60A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 90ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227