GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
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GP2M008A060CG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 7.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 23nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1063pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GP2D010A060B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 30A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 40µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 碳化硅肖特基 通孔 二极管 600V 30A（DC） TO-247-2
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.65V @ 10A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 40µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 527pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 175°C
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GP1M008A025PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 4A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 250V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 8A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 8.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 423pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 600 毫欧 @ 4A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-Pak 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP1M023A050N
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3391pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 347W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 220 毫欧 @ 11.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 66nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3391pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 347W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 220 毫欧 @ 11.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
GHXS010A060S-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 碳化硅肖特基 600V 10A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 10A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 碳化硅肖特基 600V 10A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 10A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 10A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP2M012A080NG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 650 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 79nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3370pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 416W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 12A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 650 毫欧 @ 6A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 79nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3370pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 416W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3PN 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
GP2M004A060HG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 12nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 545pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 86.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 4A TO220
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2.5 欧姆 @ 2A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 12nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 545pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 86.2W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GCMS040A120B3C1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
类型: MOSFET 配置: 3 相 电流: 80A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
类型: MOSFET 配置: 3 相 电流: 80A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
GSXD050A006S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 60V 50A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 50A 不同If时的电压-正向（Vf: 750mV @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 60V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 60V 50A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 60V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 50A 不同If时的电压-正向（Vf: 750mV @ 50A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 60V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GP1M006A065PH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 650V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 5.5A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.6 欧姆 @ 2.75A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1177pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 120W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA