GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
商品列表
GSXD120A012S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 120V 120A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 120V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 120A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 120V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 120V 120A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 120V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 120A 不同If时的电压-正向（Vf: 880mV @ 120A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 120V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
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GP2M002A060PG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 2A
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 欧姆 @ 1A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 9nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 360pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52.1W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 600V 2A
FET类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 欧姆 @ 1A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 9nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 360pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52.1W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: I-PAK 封装/外壳: TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
GP3D060A120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 二极管
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: * 零件状态: 初步
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 二极管
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: * 零件状态: 初步
GP2M013A050F
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 480 毫欧 @ 6.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 35nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1798pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 500V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 13A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 480 毫欧 @ 6.5A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 35nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1798pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 52W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220F 封装/外壳: TO-220-3 整包
GDP36Z060B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 36A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 36A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 1460pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）: 36A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 36A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 不同 Vr，F时的电容: 1460pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GSID200A170S3B1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 2 个独立式 1200V 400A 1630W 底座安装 D3
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 零件状态: 在售 IGBT类型: - 配置: 2 个独立式 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 400A 功率-最大值: 1630W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 26nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 2 个独立式 1200V 400A 1630W 底座安装 D3
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 零件状态: 在售 IGBT类型: - 配置: 2 个独立式 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 400A 功率-最大值: 1630W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 1.9V @ 15V，200A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 26nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: D-3 模块 供应商器件封装: D3
GHXS030A060S-D4
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 碳化硅肖特基 600V 30A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 30A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 碳化硅肖特基 600V 30A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 600V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 30A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 600V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSID080A120B1A5
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 单路 1200V 160A 1710W 底座安装 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 零件状态: 在售 IGBT类型: - 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 1710W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 7nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 单路 1200V 160A 1710W 底座安装 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 零件状态: 在售 IGBT类型: - 配置: 单路 电压-集射极击穿（最大值）: 1200V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 160A 功率-最大值: 1710W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2V @ 15V，80A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 7nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
GP1M018A020HG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 9A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 950pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 通孔 N 沟道 200V 18A（Tc） 94W（Tc） TO-220
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 170 毫欧 @ 9A， 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 18nC @ 10V Vgs（最大值）: ±30V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 950pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
GHIS050A120T1P2
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 100A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 100A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 100A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 100A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块