GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP
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GP1M003A090C
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 748pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.1 欧姆 @ 1.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 900V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.5A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 748pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.1 欧姆 @ 1.25A， 10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: D-Pak 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GDP30S120B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 1790pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: Amp+™ 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 碳化硅肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V（1.2kV） 电流-平均整流（Io）: 30A（DC） 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.7V @ 30A 速度: 无恢复时间 > 500mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 0ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 100µA @ 1200V 不同 Vr，F时的电容: 1790pF @ 1V，1MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-2 供应商器件封装: TO-247-2 工作温度-结: -55°C ~ 135°C
GSID300A125S5C1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 沟槽型场截止 三级反相器 1250V 600A 2500W 底座安装 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 三级反相器 电压-集射极击穿（最大值）: 1250V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 600A 功率-最大值: 2500W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 30.8nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT Module 沟槽型场截止 三级反相器 1250V 600A 2500W 底座安装 模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 IGBT类型: 沟槽型场截止 配置: 三级反相器 电压-集射极击穿（最大值）: 1250V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 600A 功率-最大值: 2500W 不同 Vge，Ic时的 Vce（on）: 2.4V @ 15V，300A 电流-集电极截止（最大值）: 1mA 不同 Vce时的输入电容（Cies）: 30.8nF @ 25V 输入: 标准 NTC热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块
GSXD080A008S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 80V 80A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 80V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 840mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 80V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 肖特基 80V 80A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 80V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 80A 不同If时的电压-正向（Vf: 840mV @ 80A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 1mA @ 80V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GSXD100A020S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 920mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 200V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE SCHOTTKY 200V 100A SOT227
二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 肖特基 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 920mV @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 3mA @ 200V 工作温度-结: -40°C ~ 150°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GHXS045A120S-D1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 1.2kV 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 45A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 45A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 300µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 碳化硅肖特基 1.2kV 底座安装 SOT-227
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 碳化硅肖特基 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 45A 不同If时的电压-正向（Vf: 1.7V @ 45A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 300µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
GHIS100A120T2C1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 195A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 195A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module IGBT 3 Phase 1.2kV 195A Power Module
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: IGBT 配置: 3 相 电流: 195A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
GP1M003A080CH
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 696pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 欧姆 @ 1.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源极电压（Vdss）: 800V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 3A（Tc） 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 19nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 696pF @ 25V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 94W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4.2 欧姆 @ 1.5A，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak） 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
GCMS008A120B1B1
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 半桥 1.2kV 300A 电源模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 半桥 电流: 300A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
供应商: DigiKey
分类: 功率驱动器模块
描述: Power Driver Module MOSFET 半桥 1.2kV 300A 电源模块
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 零件状态: 在售 类型: MOSFET 配置: 半桥 电流: 300A 电压: 1.2kV 电压-隔离: 2500Vrms 封装/外壳: 电源模块
GSXF100A120S1-D3
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 标准 1200V 100A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 2.35V @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 125ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 1200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: Diode Array 2 个独立式 标准 1200V 100A 底座安装 SOT-227-4，miniBLOC
类别: 分立半导体产品 制造商: Global Power Technologies Group 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管配置: 2 个独立式 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 1200V 电流-平均整流（Io）（每二极管）: 100A 不同If时的电压-正向（Vf: 2.35V @ 100A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）: 125ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 25µA @ 1200V 工作温度-结: -55°C ~ 175°C 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227