GP2M012A080NG
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分立半导体产品>>晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
物料参数
| FET类型: | N 沟道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800V |
| 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: | 10V |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 650 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: | 79nC @ 10V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: | 3370pF @ 25V |
| FET功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 416W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3PN |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |