TPCC8009,LQ(O

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON

物料参数

制造商:Toshiba Semiconductor and Storage
系列:U-MOSIV
包装:卷带(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 200µA
FET 功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-TSON Advance(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerVDFN
漏源电压(Vdss):30V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):26nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1270pF @ 10V
基本产品编号:TLP115
无库存