TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
RN4987FE,LF(CB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
描述: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）: 10 千欧 电阻器-发射极基底（R2）: 47 千欧 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
描述: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）: 10 千欧 电阻器-发射极基底（R2）: 47 千欧 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 100mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-563，SOT-666 供应商器件封装: ES6
TC7S00FT5LFT
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7S 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 与非门 电路数: 1 输入数: 2 特性: - 电压-电源: 2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）: 1µA 电流-输出高，低: 2.6mA，2.6mA 逻辑电平-低: 0.5 V ~ 1.8 V 逻辑电平-高: 1.5 V ~ 4.2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 17ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SMV 封装/外壳: SC-74A，SOT-753 其它名称: TC7S00F(T5LFT)DKRTC7S00F(T5LFT)DKR-NDTC7S00F(TE85LF)DKRTC7S00F(TE85LF)DKR-NDTC7S00FFDKRTC7S00FFDKR-NDTC7S00FLFDKRTC7S00FLFDKR-NDTC7S00FT5LFTDKR
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 栅极和逆变器 系列: TC7S 包装: Digi-Reel® 逻辑类型: 与非门 电路数: 1 输入数: 2 特性: - 电压-电源: 2 V ~ 6 V 电流-静态（最大值）: 1µA 电流-输出高，低: 2.6mA，2.6mA 逻辑电平-低: 0.5 V ~ 1.8 V 逻辑电平-高: 1.5 V ~ 4.2 V 不同V，最大CL时的最大传播延迟: 17ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: SMV 封装/外壳: SC-74A，SOT-753 其它名称: TC7S00F(T5LFT)DKRTC7S00F(T5LFT)DKR-NDTC7S00F(TE85LF)DKRTC7S00F(TE85LF)DKR-NDTC7S00FFDKRTC7S00FFDKR-NDTC7S00FLFDKRTC7S00FLFDKR-NDTC7S00FT5LFTDKR
TPCA8056-H,LQ(M
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
==Toshiba Semiconductor and Storage<: >==U-MOSVII-H ==卷带（TR）<: >零件状态==停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6200 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），63W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5） 封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP
==Toshiba Semiconductor and Storage<: >==U-MOSVII-H ==卷带（TR）<: >零件状态==停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.2 毫欧 @ 24A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.3V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 74 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6200 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 1.6W（Ta），63W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-SOP Advance（5x5） 封装/外壳: 8-PowerVDFN
TA78L12PF(TE85L,F)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 12V 150MA PS-8
输出配置: 正 输出类型: 固定 稳压器数: 1 电压-输入（最大值）: 35V 电压-输出（最小值/固定）: 12V 电压-输出（最大值）: - 压降（最大值）: 2V @ 150mA（标准） 电流-输出: 150mA 电流-静态（Iq): 6mA 电流-电源（最大值）: 6.5mA PSRR: 41dB（120Hz） 控制特性: - 保护功能: 过流，超温 工作温度: -30°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: PS-8 (2.9x2.4)
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 12V 150MA PS-8
输出配置: 正 输出类型: 固定 稳压器数: 1 电压-输入（最大值）: 35V 电压-输出（最小值/固定）: 12V 电压-输出（最大值）: - 压降（最大值）: 2V @ 150mA（标准） 电流-输出: 150mA 电流-静态（Iq): 6mA 电流-电源（最大值）: 6.5mA PSRR: 41dB（120Hz） 控制特性: - 保护功能: 过流，超温 工作温度: -30°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: PS-8 (2.9x2.4)
TC74VHCT244AFW
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 系列: TC74VHCT 包装: 管件 逻辑类型: 缓冲器/线路驱动器，非反相 元件数: 2 每元件位数: 4 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-SOIC（0.209，5.30mm 宽） 供应商器件封装: 20-SOL 其它名称: 74VHCT244AFW74VHCT244AFW-ND
供应商: DigiKey
分类: 集成电路（IC）
类别: 集成电路（IC） 家庭: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 系列: TC74VHCT 包装: 管件 逻辑类型: 缓冲器/线路驱动器，非反相 元件数: 2 每元件位数: 4 电流-输出高，低: 8mA，8mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 20-SOIC（0.209，5.30mm 宽） 供应商器件封装: 20-SOL 其它名称: 74VHCT244AFW74VHCT244AFW-ND
TLEGD1060(T18)
供应商: DigiKey
分类: 光电元件
类别: 光电元件 家庭: LED 指示 - 分立 系列: - 包装: Digi-Reel® 颜色: 绿 透镜颜色: - 透镜透明度: - 毫烛光等级: 150mcd 透镜样式/尺寸: 矩形，带平顶 电压-正向（Vf）（典型值）: 3.3V 电流-测试: 20mA 视角: - 安装类型: 表面贴装 波长-主: 528nm 波长-峰值: 518nm 特性: - 封装/外壳: 2-迷你型 PLCC 供应商器件封装: 2-MiniPLCC 大小/尺寸: 2.00mm 长 x 1.40mm 宽 高度（最大值）: 1.50mm 其它名称: TLEGD1060T18DKR
供应商: DigiKey
分类: 光电元件
类别: 光电元件 家庭: LED 指示 - 分立 系列: - 包装: Digi-Reel® 颜色: 绿 透镜颜色: - 透镜透明度: - 毫烛光等级: 150mcd 透镜样式/尺寸: 矩形，带平顶 电压-正向（Vf）（典型值）: 3.3V 电流-测试: 20mA 视角: - 安装类型: 表面贴装 波长-主: 528nm 波长-峰值: 518nm 特性: - 封装/外壳: 2-迷你型 PLCC 供应商器件封装: 2-MiniPLCC 大小/尺寸: 2.00mm 长 x 1.40mm 宽 高度（最大值）: 1.50mm 其它名称: TLEGD1060T18DKR
TLP290(GR-TP,E)
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 300% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 7µs，7µs 上升/下降时间（典型值）: 4µs，7µs 输入类型: AC，DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 4-SO 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP290
供应商: DigiKey
分类: 光隔离器 - 晶体管，光电输出
描述: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 电压 - 隔离: 3750Vrms 电流传输比（最小值）: 100% @ 5mA 电流传输比（最大值）: 300% @ 5mA 接通 / 关断时间（典型值）: 7µs，7µs 上升/下降时间（典型值）: 4µs，7µs 输入类型: AC，DC 输出类型: 晶体管 电压 - 输出（最大值）: 80V 电流 - 输出/通道: 50mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 1.25V Vce 饱和压降（最大）: 300mV 工作温度: -55°C ~ 110°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 4-SOIC（0.179，4.55mm 宽） 供应商器件封装: 4-SO 通道数: 1 电流 - DC 正向 (If)（最大值）: 50 mA 基本产品编号: TLP290
TD62004AFG,N
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
描述: IC DRIVER 7/0 16SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: 驱动器 协议: - 驱动器/接收器数: 7/0 双工: - 数据速率: - 电压 - 供电: 0V ~ 50V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOP 基本产品编号: TCR2EE
供应商: DigiKey
分类: 接口 - 驱动器，接收器，收发器
描述: IC DRIVER 7/0 16SOP
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 类型: 驱动器 协议: - 驱动器/接收器数: 7/0 双工: - 数据速率: - 电压 - 供电: 0V ~ 50V 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-SOP 基本产品编号: TCR2EE
TK4A60DB(STA4,Q,M)
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVII 包装: 管件 零件状态: 最後搶購 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 25 V 基本产品编号: TLOF1060
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: π-MOSVII 包装: 管件 零件状态: 最後搶購 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2 欧姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.4V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 35W（Tc） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220SIS 封装/外壳: TO-220-3 整包 漏源电压（Vdss）: 600 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 11 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 540 pF @ 25 V 基本产品编号: TLOF1060