TOSHIBA
Toshiba is a world leader and innovator in pioneering high technology, a diversified manufacturer and marketer of advanced electronic and electrical products spanning information & communications systems; digital consumer products; electronic devices and components; power systems, including nuclear energy; industrial and social infrastructure systems; and home appliances. Toshiba was founded in 1875, and today operates a global network of more than 740 companies, with 204,000 employees worldwide and annual sales surpassing 6.3 trillion yen (US$68 billion).
商品列表
TL1WK-WH1,L
供应商: DigiKey
分类: LED 照明 - 白色
描述: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: LETERAS™ 零件状态: 停产 颜色: 白色，天然 CCT (K): 4000K 85°C 时光通量，电流 - 测试: - 25°C 时光通量，电流 - 测试: 21lm（18lm ~ 26lm） 电流 - 测试: 60mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 2.8V 流明/瓦，不同电流 - 测试时: 125 lm/W CRI（显色指数）: 80 电流 - 最大值: 180mA 视角: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 2-SMD，无引线 供应商器件封装: SMD 大小 / 尺寸: 0.026 长 x 0.026 宽（0.65mm x 0.65mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.015（0.39mm） 封装热阻: 17°C/W 基本产品编号: TC74ACT32
供应商: DigiKey
分类: LED 照明 - 白色
描述: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: LETERAS™ 零件状态: 停产 颜色: 白色，天然 CCT (K): 4000K 85°C 时光通量，电流 - 测试: - 25°C 时光通量，电流 - 测试: 21lm（18lm ~ 26lm） 电流 - 测试: 60mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 2.8V 流明/瓦，不同电流 - 测试时: 125 lm/W CRI（显色指数）: 80 电流 - 最大值: 180mA 视角: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 2-SMD，无引线 供应商器件封装: SMD 大小 / 尺寸: 0.026 长 x 0.026 宽（0.65mm x 0.65mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.015（0.39mm） 封装热阻: 17°C/W 基本产品编号: TC74ACT32
TL1L4-NW0,L4A5B
供应商: DigiKey
分类: LED 照明 - 白色
描述: POWER LED WHT 5000K 3535
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: LETERAS™ 零件状态: 停产 颜色: 白色，冷色 CCT (K): 5000K 85°C 时光通量，电流 - 测试: 150lm（140lm ~ 160lm） 25°C 时光通量，电流 - 测试: - 电流 - 测试: 350mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 2.8V 流明/瓦，不同电流 - 测试时: 153 lm/W CRI（显色指数）: 70 电流 - 最大值: 1.5A 视角: 120° 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 1414（3535 公制） 供应商器件封装: 3535 大小 / 尺寸: 0.138 长 x 0.138 宽（3.50mm x 3.50mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.085（2.15mm） 封装热阻: 5°C/W 基本产品编号: TCR15AG
供应商: DigiKey
分类: LED 照明 - 白色
描述: POWER LED WHT 5000K 3535
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: LETERAS™ 零件状态: 停产 颜色: 白色，冷色 CCT (K): 5000K 85°C 时光通量，电流 - 测试: 150lm（140lm ~ 160lm） 25°C 时光通量，电流 - 测试: - 电流 - 测试: 350mA 电压 - 正向 (Vf)（典型值）: 2.8V 流明/瓦，不同电流 - 测试时: 153 lm/W CRI（显色指数）: 70 电流 - 最大值: 1.5A 视角: 120° 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 1414（3535 公制） 供应商器件封装: 3535 大小 / 尺寸: 0.138 长 x 0.138 宽（3.50mm x 3.50mm） 高度 - 安装（最大值）: 0.085（2.15mm） 封装热阻: 5°C/W 基本产品编号: TCR15AG
RN4906,LF(CT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 47k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
类别: 分立半导体产品 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 晶体管类型: 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 100mA 电压-集射极击穿（最大值）: 50V 电阻器-基底（R1）（欧姆）: 4.7k 电阻器-发射极基底（R2）（欧姆）: 47k 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 80 @ 10mA，5V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 300mV @ 250µA，5mA 电流-集电极截止（最大值）: 500nA 频率-跃迁: 250MHz，200MHz 功率-最大值: 200mW 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装: US6
TPC6109-H(TE85L,FM
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII-H 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 59 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 200µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: VS-6（2.9x2.8） 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.3 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 490 pF @ 10 V 基本产品编号: TC554001
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: U-MOSIII-H 零件状态: 停产 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 59 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.2V @ 200µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 700mW（Ta） 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: VS-6（2.9x2.8） 封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 12.3 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 490 pF @ 10 V 基本产品编号: TC554001
DF2B6.8ACT,L3F
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 7V CST2
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 5.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 7V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 9pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-882 供应商器件封装: CST2 双向通道: 1 基本产品编号: DF2B6.8
供应商: DigiKey
分类: TVS - 二极管
描述: TVS DIODE 5V 7V CST2
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 零件状态: 有源 类型: 齐纳 电压 - 反向断态（典型值）: 5V（最大） 电压 - 击穿（最小值）: 5.8V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）: 7V（标准） 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs): 1A（8/20µs） 功率 - 峰值脉冲: - 电源线路保护: 无 应用: 通用 不同频率时电容: 9pF @ 1MHz 工作温度: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SOD-882 供应商器件封装: CST2 双向通道: 1 基本产品编号: DF2B6.8
TC7W08FU(TE12L)
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE AND 2CH 2-INP SM8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 7W 包装: Digi-Reel® 零件状态: 停产 逻辑类型: 与门 输入数: 2 特性: - 电压 - 供电: 2V ~ 6V 电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA 逻辑电平 - 低: 0.5V ~ 1.8V 逻辑电平 - 高: 1.5V ~ 4.2V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 13ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SM8 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 电路数: 2 电流 - 静态（最大值）: 1 µA 基本产品编号: TLP127
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 栅极和逆变器
描述: IC GATE AND 2CH 2-INP SM8
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: 7W 包装: Digi-Reel® 零件状态: 停产 逻辑类型: 与门 输入数: 2 特性: - 电压 - 供电: 2V ~ 6V 电流 - 输出高、低: 5.2mA，5.2mA 逻辑电平 - 低: 0.5V ~ 1.8V 逻辑电平 - 高: 1.5V ~ 4.2V 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: 13ns @ 6V，50pF 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: SM8 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 电路数: 2 电流 - 静态（最大值）: 1 µA 基本产品编号: TLP127
TPCA8006-H(TE12LQM
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 67 毫欧 @ 9A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 10V 功率-最大值: 45W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-SOP 高级
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: - 包装: 带卷（TR） FET类型: MOSFET N 通道，金属氧化物 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 18A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 67 毫欧 @ 9A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 10V 功率-最大值: 45W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-PowerVDFN 供应商器件封装: 8-SOP 高级
CMZ22(TE12L,Q)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 单二极管/齐纳 系列: - 包装: 带卷（TR） 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 22V 容差: ±10% 功率-最大值: 2W 阻抗（最大值）（Zzt）: 30 欧姆 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 16V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.2V @ 200mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-128 供应商器件封装: M-FLAT（2.4x3.8）
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
类别: 分立半导体产品 家庭: 单二极管/齐纳 系列: - 包装: 带卷（TR） 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 22V 容差: ±10% 功率-最大值: 2W 阻抗（最大值）（Zzt）: 30 欧姆 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 16V 不同If时的电压-正向（Vf）: 1.2V @ 200mA 工作温度: -40°C ~ 150°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOD-128 供应商器件封装: M-FLAT（2.4x3.8）
TC7WT126FUTE12LF
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7WT 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 2 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 6mA，6mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 供应商器件封装: SM8
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器
类别: 集成电路（IC） 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: TC7WT 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 逻辑类型: 缓冲器，非反向 元件数: 2 每元件位数: 1 输入类型: - 输出类型: 推挽式 电流-输出高，低: 6mA，6mA 电压-电源: 4.5 V ~ 5.5 V 工作温度: -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 8-TSSOP，8-MSOP（0.110，2.80mm 宽） 供应商器件封装: SM8
MP4020(F)
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列 系列: - 包装: 散装 晶体管类型: 4 NPN 达林顿（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 2A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1.5V @ 1mA，1A 电流-集电极截止（最大值）: 10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 2000 @ 1A，2V 功率-最大值: 2W 频率-跃迁: 100MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
EDA/CAD模型: 从 Accelerated Designs 下载 类别: 分立半导体产品 家庭: 晶体管（BJT） - 阵列 系列: - 包装: 散装 晶体管类型: 4 NPN 达林顿（双） 电流-集电极（Ic）（最大值）: 2A 电压-集射极击穿（最大值）: 60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: 1.5V @ 1mA，1A 电流-集电极截止（最大值）: 10µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 2000 @ 1A，2V 功率-最大值: 2W 频率-跃迁: 100MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: 10-SIP 供应商器件封装: 10-SIP