RN4987FE,LF(CB
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分立半导体产品>>晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置
描述
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
物料参数
| 类别: | 分立半导体产品 |
| 制造商: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列: | - |
| 包装: | Digi-Reel® |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流-集电极（Ic）（最大值）: | 100mA |
| 电压-集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器-基底（R1）: | 10 千欧 |
| 电阻器-发射极基底（R2）: | 47 千欧 |
| 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: | 80 @ 10mA，5V |
| 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）: | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流-集电极截止（最大值）: | 500nA |
| 频率-跃迁: | 250MHz，200MHz |
| 功率-最大值: | 100mW |
| 安装类型: | 表面贴装 |
| 封装/外壳: | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装: | ES6 |